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光電探測(cè)器
其他光電探測(cè)器
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產(chǎn)品分類1mm-2mm Monitor PD Chip φ1000um(探測(cè)器) InGaAs PIN 監(jiān)控光探測(cè)器芯片
更新時(shí)間:2025-11-13
產(chǎn)品型號(hào):
瀏覽量:1668
1500um3000um 4 Quadrants MPD Chip φ3000um(探測(cè)器) InGaAs PIN 監(jiān)控光探測(cè)器芯片
更新時(shí)間:2025-11-13
產(chǎn)品型號(hào):
瀏覽量:1787
Monitor PD Chip φ200um(探測(cè)器) InGaAs PIN 監(jiān)控光探測(cè)器芯片
更新時(shí)間:2025-11-13
產(chǎn)品型號(hào):
瀏覽量:1795
Monitor PD Chip φ500um(探測(cè)器) InGaAs PIN 監(jiān)控光探測(cè)器芯片
更新時(shí)間:2025-11-13
產(chǎn)品型號(hào):
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亞太赫茲超快探測(cè)器ULTRAFAST 總覽 TeraSense的超快探測(cè)器ULTRAFAST,通過直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實(shí)響應(yīng)時(shí)間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3THz的,200nJ、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測(cè)器,其響應(yīng)由高速示波器記錄。響應(yīng)功能顯示了由示波器4 GHz帶寬限制的150 ps的上升和下降時(shí)間。測(cè)量的短響應(yīng)時(shí)間使得我們的探測(cè)器可以直接研究THz科學(xué)和電信中的快速瞬態(tài)過程。
更新時(shí)間:2024-12-04
產(chǎn)品型號(hào):MIR QWIP
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