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硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm

產品簡介

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm

APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。

C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

產品型號：

更新時間：2024-12-06

廠商性質：經銷商

訪問量：1747

產品咨詢 18602170419

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產品分類

光電探測器

探測器芯片超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數器其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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400-828-1550

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品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm

APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。

C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

光譜響應

200-1000nm

感光規格

3mm ?

通用參數

特點

使用高靈敏度Si APD。有四種類型，具有不同的光譜響應范圍和感光區域。

針對APD評估優化的高靈敏度檢測板。APD和高速電流電壓放大器電路安裝在緊湊的電路板上。高速電流-電壓放大器電路具有低噪聲配置，是APD信號讀出的理想選擇，工作速度快，靈敏度高。

易于操作,單個5 V電源操作

內置溫度補償偏置電壓電路通過熱傳感器控制偏置電壓，以保持APD增益恒定。增益穩定到±2.5%典型值。在25±10°C的環境溫度下，通常高壓電源固有的波紋噪聲也被最小化。

小巧輕便

電路板大小不超過名片大小，重量僅37克。

定制設計的模塊具有不同的尺寸和規格

產品應用

APD評估

空間透光條形碼閱讀器

激光雷達

光學測距儀

光通信

型號參考

Type no.	感光面積（mm）	頻率帶寬-3 dB（Hz）	Type of APD	峰值靈敏度波長（nm）
C12702-03	?1.0	4 k to 100 M	Standard type	800
C12702-04	?3.0	4 k to 80 M	Standard type	800
C12702-11	?1.0	4 k to 100 M	Short-wavelength type	620
C12702-12	?3.0	4 k to 40 M	Short-wavelength type	620

注意：裝運前，增益（M）預設為30。(Note: Gain (M) is preset to 30 prior to shipping.)

結構/絕對最大額定值

Type No.

感光面積（mm）

電源電壓 V

Current consumption

(mA)消耗電流

電路板尺寸

(mm)

輸出阻抗

(Ω)

Weight (g)

Absolute maximum ratings絕對最大額定值

Supply voltage

(V)

Maximum Incident light level

(mW)

最大入射光水平

工作溫度Topr

(°C)

儲存溫度Tstg

(°C)

Min.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

C12702-03

?1.0

+4.75

+5.25

+50

+80

80 × 50 × 22

0 to +60

-20 to +70

C12702-04

?3.0

C12702-11

?1.0

C12702-12

?3.0

注：即使是暫時超過絕對最大額定值，也可能導致產品質量下降。始終確保在絕對最大額定值范圍內使用產品。

電氣和光學特性（典型Ta=25°C，Vcc=5 V，除非另有說明）

光電轉換器部分（APD）

Type No.	光譜響應范圍λ (nm)	峰值靈敏度波長 λp(nm)	光敏性 S M=1 (A/W)		增益溫度穩定性 *1 25 °C ± 10 °C, M=(%)
			λ=800 nm	λ=620 nm	Typ.	Max.
C12702-03	400 to 1000	800	0.5	-	±2.5	±5
C12702-04
C12702-11	200 to 1000	620	-	0.42
C12702-12

高速放大器部分

Type No	截止頻率-3 dB				噪聲等效功率NEP(pW/Hz1/2)				反饋電阻(kΩ)	光電靈敏度*1 including APD, M=30 (104 V/W)			最小定向限制 (nW rms)
	High band		Low band		λ=800 nm		λ=620 nm
	Min. (MHz)	Typ. (MHz)	Min. (kHz)	Typ. (kHz)	Typ.	Max.	Typ.	Max.
	Min. (MHz)	Typ. (MHz)	Min. (kHz)	Typ. (kHz)	Typ.	Max.	Typ.	Max.		Min.	Typ.	Max.	Min.	Typ.	Max.
C12702-03	90	100	3	4	0.3	0.6	-	-	9.1	-6.4	-6.8	-7.1	-	3.0	6.0
C12702-04	70	80			0.4	0.8	-	-	3.0	-2.1	-2.3	-2.4	-	3.6	7.2
C12702-11	90	100			-	-	0.5	1.0	3.9	-2.3	-2.5	-2.7	-	5.0	10.0
C12702-12	30	40			-	-	1.0	2.0	3.0	-1.8	-1.9	-2.0	-	6.3	12.6